シリコンカーバイド(SiC)

シリコンカーバイド

シリコンカーバイドは、ケイ素（Si）と炭素（C）の1:1 の化合物で、化学式SiC で表される半導体。バンドギャップは室温で3.3 eV（電子ボルト）である。その大きなバンドギャップから、現在次世代パワーデバイス材料として活発に研究開発が進められている。